工艺库相关含义解释

• LVT, RVT, HVT
• IC库命名规则和选库方案scc55nll_hd_pmk_hvt_ss_v1p08_125c_basic
• • hd
  • pmk
  • ss、ff、tt
  • v1p08

LVT, RVT, HVT

LVT, RVT, HVT这几个都是CMOS集成电路的Vth阈值电压相关的基本概念。通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。
HVT = High V threshold. Can be used in the path where timing is not critical. So by using HVT cells we can save power.
LVT - Low V threshold. One should use these cells in timing critical paths. These cells are fast but , comsumes more power due to its leakage. So it will consume more power. So use only when timing is critical.
SVT- Standard V threshold. Best of both world. Medium delay and medium power requirment. So if timing is not met by small magin with HVT, you should try with SVT. And at last LVT.
RVT- Regular V threshold. Another name for SVT.阈值电压越低，因为饱和电流变小，所以速度性能越高；但是因为漏电流会变大，因此功耗会变差。
速度大小按快到慢依次排列为SLVT, LVT, RVT, HVT。 功耗大小却正好相反。即HVT的cell其阈值电压最大其掺杂浓度越高，其泄露功耗最小；根据时序紧张还是不紧张，对于关键路径选择速度快，功耗差的，对于时序比较宽松的，可以用速度慢一些的器件。在满足时序的情况下降低功耗~
见这个帖子：https://bbs.eetop.cn/thread-446939-1-1.html

IC库命名规则和选库方案scc55nll_hd_pmk_hvt_ss_v1p08_125c_basic

详见这个帖子：https://bbs.eetop.cn/thread-589285-1-1.html

• 125c：125摄氏度

hd

hd：high density高稳定， — 该参数还可能是hs（high speed高速），vhs（very high speed超高速）
HD和HVT这两个参数是根据设计属性来选的，如果设计的时序比较紧张。则要选择高速库，比如HS和LVT，注意LVT是低阈值电压，阈值低，开启的速度快，但是漏电流大，功耗高

pmk

pmk，power managment kit 低功耗部分，low power设计中使用

ss、ff、tt

是指的综合和时序分析中最主要的3个corner，分别对应的worst corner、best corner、 typical corner
一般分析建立时间用worst，保持时间用best corner。可以保证cover边界情况。保证时序收敛。
在综合时候，分析setup一般都选ss corner的库，在pt做sta时，可以使用ff corner来分析hold

v1p08

是电压1.08V（1.2V下浮10%）