【硬件】P沟道和N沟道MOS管开关电路设计
场效应管做的开关电路一般分为两种，一种是N沟道，另一种是P沟道，如果电路设计中要应用到高端驱动的话，可以采用PMOS来导通。
P沟道MOS管开关电路
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，当Vgs<0,即Vs>Vg,管子导通。S点的电压会传到D点。
若Vs=0，Vg=Vd=24V。烧管子。当时我们想，当Vg点的电压大于Vs点的电压，管子就会关掉。但是实际情况是，当g点给10V，s点给0v，管子会关掉，但是当d点电压为24v时，由于管子内部电阻很小，管子就烧坏了。
若Vg=0v,Vs点加的电压由24v降到0v，Vd点的电压也会由24v降到0v。即当s点的电压大于g点的电压，管子就会导通，就会将s点的电压传到d点。当g点电压为0，s点电压大于0，s点的电压就会传到d点。
总结：对于P-mos管，对G点采用的是负逻辑控制。低有效。
适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。需要注意的是，Vgs指的是栅极G与源极S的电压，即栅极低于电源一定电压就导通，而非相对于地的电压。但是因为PMOS导通内阻比较大，所以只适用低功率的情况。大功率仍然使用N沟道MOS管。
典型应用电路：
2. N沟道MOS管开关电路
对于N-MOS管采用的是正逻辑，当Vgs>0,即G点电压大于S点电压，管子就会导通，D点电压就会传到S点。当VDS的电压增大，ID就会增大。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了，漏极D接电源，源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差，所以当NMOS作为高端驱动时候，当漏极D与源极S导通时，漏极D与源极S电势相等，那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压，漏极D与源极S才能继续导通。
典型应用电路：
3. 总结
以上就是关于场效应管开关电路的相关介绍,高端驱动一般应用的是PMOS的特性，而低端驱动一般应用于NMOS的特性，测量的是栅极G与源极S的压差。
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